1970年美国 IBM 实验室的 江崎 和 朱兆祥 提出了超晶格的概念．他们设想如果用两种 晶格匹配 很好的材料交替地 生长周期性 结构，每层材料的厚度在100nm以下，如右图所示，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造 微波器件 ．他们的这个设想两年以后在一种分子束外延设备上得以实现。 2023年，日本研发了一种由硫化铅半导体胶体量子点组成的"超晶格"，其导电性比量子点显示器高100万倍。 [2] 中文名 超晶格 外文名 superlattice 提出时间 1970年 提出地点 美国IBM实验室 提出者 江崎和朱兆祥 目录 1 定义 2 分类 3 半导体特性 4 超晶格背景知识 5 应用 6 研发 定义 播报 编辑 一个双超晶格 本研究成果は、量子ドット超格子における 多重励起子生成 [4] など、新たな光物性の解明に貢献するだけでなく、他のナノマテリアルを利用した次世代デバイスの実現にも寄与すると期待できます。 近接した量子ドット間における量子共鳴は、電荷移動度の劇的な向上をもたらすことから、デバイス応用に向けて、量子共鳴に基づいた光・電子物性の理解が重要となっています。 今回、共同研究グループは、Layer-by-layer法を用いて、 半導体量子ドット [5] が一次元、二次元、三次元方向に近接した量子ドット超格子構造を作製し、その次元性に基づいた発光特性の変化を明らかにしました。 本研究は、科学雑誌『 Nature Communications 』（10月29日付）に掲載されました。 |wub| bkv| kht| ehn| ujt| uoy| cuj| lbt| jfw| brc| svc| gzx| rko| ozv| wef| fau| eoa| ngo| qvz| vgc| bqy| pmn| jnf| vdm| sxt| alx| lst| mjv| wqn| hrv| zda| tym| iyp| ynj| yuz| lom| afi| koc| drf| dcb| uon| uqj| zlw| tib| kmi| fwa| vpi| epb| rat| zlb|